High performance 1689-nm quantum well diode lasers

1689-nm diode lasers used in medical apparatus have been fabricated and characterized. The lasers had pnpn InP current confinement structure, and the active region consisted of 5 pairs of InGaAs quantum wells and InGaAsP barriers.     

高能核碰撞中带电多重数快度与能量和中心度的关系

用强子–弦级联模型JPCIAE及相应的Monte Carlo事例产生器研究相对论性核–核碰撞中带电粒子多重数的赝快度密度对能量和中心度的依赖关系.无需另调任何模型参数的条件下,此模型可以同时较好地描述相对论性pp实验数据及PHOBOS和PHENIX实验组的Au+Au实验数据.本文指出:因〈N_part〉并非严格定义的物理量,致使实验上和理论上确定〈N_part〉有一定任意性,从而使得每参加者核子对的带电粒子赝快度密度随着〈N_part〉的增加可能逐渐增大,也可能逐渐减小,因此用它来区分粒子产生机制是欠妥的.     

枸橼酸铋制剂中铋元素的溶出量分析

微波消解溶样，ICP—AES法测定了枸橼酸铋制剂中铋元素的含量及其在人工胃液和人工肠液中的溶出量。结果表明，枸橼酸铋制剂中的铋元素在人工肠液中的溶出量明显高于人工胃液。方法的检出限为12ng／mL，相对标准偏差(n=7)为3．84％。     

半参数广义线性模型的惩罚似然估计

一、引言我们知道,通常的广义线性模型其联接函数为 g(μ)=η,并且预测η有一已知参数形式,即η=xβ.然而,如果预测依赖于协变量的形式知道的并不很清楚,那么这时采用参数的线性化结构并非总是适当的.当缺乏确切的信息时,有时用非参数方法更可取.但是,当确信某些关系具有一定的参数形式时,完全的非参数方法其效率可能相当低.于是,可以考虑更一般的模型——半参数广义线性模型,它是由 Green 和 Yandell 等一些作者提出来的.这个类包括了通常的广义线性模型及非参数广义线性模型,因而处理问题也就更灵活了.     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：     

用BBO晶体产生196～228nm波长的紫外辐射

本文报道了用BBO晶体通过混频产生196～228nm可调谐紫外辐射的研究结果.产生200nm及222nm的量子转换效率分别为12%及23%,与理论计算值基本相符.     

含铒碲酸盐玻璃的上转换荧光性质研究

在室温下,用804nm波长的半导体激光器作激发源,在TeO_2-PbO基掺铒碲酸盐玻璃中实现了中心波长分别为525nm,550nm和660nm的上转换发射.荧光强度与激发功率呈非线性关系.估测了PbO含量对上转换荧光相对强度的影响.     

广义复合隐迭代格式逼近非扩张映像公共不动点

提出并使用如下广义复合隐迭代格式逼近非扩张映像族{Ti}Ni=1公共不动点:{xn=αnxn-1 (1-αn)Tnyn,yn=rnxn snxn-1 tnTnxn wnTnxn-1,rn sn tn wn=1,{αn},{rn},{sn},{tn},{wn}∈[0,1],这里Tn=TnmodN.该文提出的广义复合隐迭代格式包含了目前多种迭代格式,因此,所得强弱收敛定理推广及发展了Mann,Ishikawa,XuandOri,等许多作者的结果.     

一类非牛顿渗流方程爆破界的估计

本文利用拟线性常微分方程解的非存在性定理得到了一类拟线性反应扩散方程(非牛顿渗流方程)爆破界的估计,从而推广了半线性反应扩散方程(牛顿渗流方程)相应结果.     

离散型半参数广义线性纵向数据模型的方差成分检验

在回归分析中, 随机误差是否存在方差非齐性是大家十分关心的问题, 本文根据Laplace展开原理针对随机效应的影响研究了基于纵向数据的离散型半参数广义线性模型的方差成分检验,得到了Score检验统计量, 最后通过一个实例和计算机模拟验证了本文所提出的方法的有效性.